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电子元件与材料

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2026年03期

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研究与试制 | 新型超宽频全无机EMC暗室材料的制备及性能研究

研究与试制 | 新型超宽频全无机EMC暗室材料的制备及性能研究

摘要：针对传统电磁兼容EMC暗室中铁氧体材料成本高、有机泡沫角锥易燃等问题，本研究研制了一种以水泥为基体、掺入锰锌与镍锌铁氧体的全无机复合吸波材料。通过优化铁氧体配比（镍锌铁氧体掺量为体积分数15%）与周期结构设计，以提升其低频吸收性能，并将其与碳纤维掺杂的水泥基空心薄板角锥材料复合，利用电磁仿真分析其协同吸收机制。结果表明，该复合结构在超宽频范围内表现出优异的吸收性能：在80～500 MHz频
研究与试制 | 逐层原位生长二维二硫化钼/一维酞菁铜异质结及其气敏性能研究

研究与试制 | 逐层原位生长二维二硫化钼/一维酞菁铜异质结及其气敏性能研究

摘要：首次采用逐层原位生长法制备了二维硫化钼/一维酞菁铜（2D-MoS2/1D-CuPc）异质结材料，并系统研究了其气敏特性。通过XRD、XPS、SEM、EDS和FTIR等表征手段证实，CuPc已成功复合于MoS2表面。气敏测试结果表明，A1、A2和A3传感器对氨气（NH3）、丙酮（C3H6O）、甲醛（CH2O）的响应与CuPc原位生长次数、加热区距离等因素密切相关，且气敏性能随着生长次数的增加
研究与试制 | 基于TCAD仿真的二维α-In2Se3铁电场效应晶体管性能研究

研究与试制 | 基于TCAD仿真的二维α-In2Se3铁电场效应晶体管性能研究

摘要：为揭示参数优化对二维α-In2Se3铁电场效应晶体管（FeFET）性能的调控规律，通过Silvaco TCAD软件对器件进行系统性仿真研究，对比分析了MFIS与MIFIS两种结构器件的非易失性存储（NVW）性能差异。实验结果表明，提升栅压可显著扩大存储窗口宽度；漏压降低至0.1 V时，器件关态电流降幅达50%；双介电层MIFIS结构通过优化电场分布，开关比优于单介电层MFIS结构器件。进一
研究与试制 | 一种高速高增益轨至轨输出运算放大器的设计

研究与试制 | 一种高速高增益轨至轨输出运算放大器的设计

摘要：运算放大器作为模拟电路中的重要组成单元，在实际应用中通常需要更高的精度与速度。针对先进工艺节点下器件沟道长度减小，导致运放难以获得更高增益的问题，本文提出了一种结构新颖的增益自举技术。该电路利用基于反馈放大器以及简单共源极的增益自举结构，有效提高了运算放大器的开环增益，同时保留了放大器的高速特性。运放的第二级采用了Class AB输出级，实现输出轨至轨，同时提升运放的驱动能力，以满足在不同
研究与试制 | 基于双重噪声抵消的宽带低噪声放大器设计

研究与试制 | 基于双重噪声抵消的宽带低噪声放大器设计

摘要：为了打破传统噪声抵消低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）中噪声系数和功耗无法平衡的矛盾，本文采用中芯国际SMIC 65 nm工艺设计了一款0.2～6 GHz的宽带LNA。该低噪声放大器采用双重噪声抵消结构，可以在功耗较低的情况下有效降低放大器的噪声系数，并使用互补晶体管的方式进一步降低静态功耗。测试结果表明，在工作频率范围内，增益可以达到14～16 dB，噪声系数
研究与试制 | 三阶微带滤波器快速设计方法

研究与试制 | 三阶微带滤波器快速设计方法

摘要：分布参数效应导致微带滤波器的设计耗时较长，单纯依赖设计者的经验不一定能够达到技术指标要求。因此，非常有必要深入研究其物理机制，发展解析方法，加快其设计进程。本文针对一款三阶微带滤波器开展了深入研究，其由一个平行耦合线节、一个终端开路枝节和一个平行耦合线节依次连接而成。通过对其建立集总参数等效电路，清楚地揭示了其物理机制，包括传输极点的产生和通带的形成机制；进一步建立了显式计算公式，并以此建
研究与试制 | 新型可重构通带的微带带通滤波器的设计

研究与试制 | 新型可重构通带的微带带通滤波器的设计

摘要：为了提升通信系统的频谱利用率，设计了一种通带可重构的新型微带带通滤波器。该滤波器由两个频率可切换谐振器和两个阶跃阻抗谐振器构成。通过PIN二极管的导通与截止状态的切换，可实现两个工作通带的独立开启和关闭。为验证设计的可行性，采用介电常数为3.5的F4BM介质基板设计和制作了实物。测试结果表明，当两个PIN管均加正偏压时，通带中心频率为0.75 GHz；当两个PIN管均不加偏压时，通带中心频
研究与试制 | 一种无片外电容的高PSR瞬态增强型LDO

研究与试制 | 一种无片外电容的高PSR瞬态增强型LDO

摘要：为解决传统无片外电容低压差线性稳压器（LDO）在中至高频范围内电源抑制特性较差的问题，设计了一种带电容补偿的电流模式前馈纹波消除（CFFRC）电路。采用了全平衡可调伪电阻构成的有源低通滤波器以最小化布局面积，实现小于100 Hz的低截止频率，在10 kHz～1 MHz的中高频段下电源抑制比（PSR）改善大于20 dB。此外，为提高无片外电容LDO的瞬态响应能力，提出了一种微分瞬态增强结构。
研究与试制 | 一种新型五路功率分配/合成网络设计

研究与试制 | 一种新型五路功率分配/合成网络设计

摘要：为了克服现有五路功率分配/合成器的不足，提出一种新型高隔离度Ku频段五路功率分配/合成器，该结构包括分支波导三路功率分配器、“Ω”形波导移相器、共面魔T、紧凑型直角弯波导和波导匹配负载，其中创新设计的“Ω”形阶梯波导移相器可在较宽频率范围内对波导相位进行精确调节。使用三维电磁场仿真软件HFSS进行结构建模和优化仿真，制作了五路功率分配/合成器样品并进行测试，测试结果与仿真结果基本吻合。将两
研究与试制 | 用于卫星导航终端的抗同频干扰电路研究与设计

研究与试制 | 用于卫星导航终端的抗同频干扰电路研究与设计

摘要：为解决卫星导航终端系统受雷达同频信号干扰的问题，本研究提出了一种应用于卫星导航终端抗同频干扰电路的设计方法。利用线极化波与圆极化波的固有特性差异，通过90°耦合器与射频单向电路的组合电路，实现在抑制线极化波的同时，保持圆极化卫星导航信号的正常接收。针对B1、B2双频段设计匹配网络，解决抗线极化雷达波同频干扰的技术难点。实测结果表明，在双频段内线极化干扰波的抑制深度均小于-5 dB，其中1.
研究与试制 | 基于SiC-MOSFET的快前沿固态方波源

研究与试制 | 基于SiC-MOSFET的快前沿固态方波源

摘要：为实现脉冲方波源输出快前沿、高重频的高压方波脉冲，设计并研制了一台以Marx拓扑为主电路、SiC-MOSFET为开关器件的固态方波源。驱动系统采用多路磁隔离变压器作为同步驱动核心，提出了一种适用于高重复频率工况的快速驱动方案，可有效规避磁芯饱和问题，并实现驱动信号脉宽的灵活调节。通过分析输出脉冲前沿时间的影响因素，在驱动系统各环节进行针对性优化，显著提升了输出脉冲的前沿时间。实验结果表明，
研究与试制 | 基于AFD的MCM互连可靠性有限元分析

研究与试制 | 基于AFD的MCM互连可靠性有限元分析

摘要：为了分析高集成度导致的多芯片模块（Multi-Chip Module， MCM）互连失效的问题，本文采用ANSYS参数化设计语言（ANSYS Parametric Design Language， APDL）构建了由两个Si开关芯片和两个GaAs低噪声放大器组成的MCM三维模型。基于原子通量散度（Atomic Flux Divergence， AFD）理论，结合有限元分析（Finite E
研究与试制 | 基于多指交叉结构与SMBO协同优化的低寄生电容SCR保护器件设计

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摘要：针对晶闸管输出级在继电保护中低寄生电容与高鲁棒性难以协同的问题，提出一种低寄生电容新型晶闸管器件。该器件采用多指交叉与共阴共阳极布局，利用结电容串联效应降低总寄生电容，提升电流分布均匀性与散热能力。结合多物理场耦合建模、序列模型优化（SMBO）框架与自适应采样策略，以寄生电容、触发电压、维持电压、导通电阻及热阻为核心目标，实现多目标自适应协同优化。仿真表明，器件维持电压4.0～5.0 V、
研究与试制 | 金属化薄膜电容器电热耦合仿真与温升影响因素研究

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摘要：金属化薄膜电容器在新能源发电系统逆变器、特高压直流输电换流阀站、电动汽车控制器及电磁能武器脉冲功率电源中具有广泛应用，其在运行过程中产生的温升问题对器件服役可靠性与使用寿命影响显著。为了研究金属化膜电容器温升的影响因素，以新能源汽车母线直流支撑电容器作为研究对象，建立基于COMSOL多物理场的金属化薄膜电容器电热耦合仿真模型，研究不同工况、材料参数及电容器结构对电容器温升的影响。结果表明，
研究与试制 | 三周期极小曲面多孔结构与相变材料结合对高密度点热源散热的影响

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摘要：高效热扩散是电子设备冷却和电动汽车热管理领域中解决高密度点热源散热问题的关键环节，为探究提升瞬时热冲击下热扩散能力的方法，对比了几种填充相变材料（PCM）RT44的金属骨架在高密度点热源作用下的温度变化情况。构建了三种三周期极小曲面（TPMS）复合结构（Gyroid、Fischer-Koch S和I-WP）及传统三角形针翅结构模型，采用COMSOL对PCM融化过程进行数值模拟，分析了不同骨

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目录

研究与试制 | 新型超宽频全无机EMC暗室材料的制备及性能研究

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研究与试制 | 逐层原位生长二维二硫化钼/一维酞菁铜异质结及其气敏性能研究

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研究与试制 | 基于TCAD仿真的二维α-In2Se3铁电场效应晶体管性能研究

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研究与试制 | 一种高速高增益轨至轨输出运算放大器的设计

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研究与试制 | 基于双重噪声抵消的宽带低噪声放大器设计

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研究与试制 | 三阶微带滤波器快速设计方法

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