器件制备及器件物理 | 基于纳米压印和热调控转印的高分辨率量子点发光二极管
器件制备及器件物理 | 基于纳米压印和热调控转印的高分辨率量子点发光二极管
摘要:量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diodes, QLEDs)具有高色纯度、宽色域和溶液加工兼容性等优势,被视为下一代高分辨率显示技术的重要发展方向。然而,如何在无损于量子点(Quantum dots, QDs)光学性能的前提下实现高分辨率图案化,仍是其走向实际应用的关键技术瓶颈。本文针对高分辨率QLEDs制备中的图案化难题,提出了一种基于纳米压印与热调控转印的新型图案化工艺。该方法通过硅模板压印在聚乙烯醇缩丁醛(PVB)表面构建蜂窝状微结构,并利用溶液润湿性控制量子点的选择性填充,再经由热调控转印过程,能够制备特征尺寸低至1.5μm、分辨率为9072像素每英寸(Pixel per inch, PPI)的高均匀性量子点阵列。通过采用更高分辨率的模板,我们还实现了最高25400 PPI像素密度的量子点阵列。进一步地,我们通过在空穴传输层(Hole transport layer, HTL)上制备量子点阵列,成功制得了高分辨率红色QLEDs器件(9072 PPI),其最大外量子效率(EQE)达10.91%,最大亮度为164421 cd/m2。本工作为高分辨率QLEDs的制备提供了一种工艺稳定、可重复的图案化新途径。