摘要：电源抑制比PSRR是衡量LDO性能的重要参数之一。本文基于0.35μm CMOS工艺，提出了一种低频PSRR改进电路结构，利用调节型共源共栅结构，在低频时，将电源纹波等量复制至功率管栅端，使得电源纹波与功率管栅端的电（试读）...
登录
