摘要 基于第一性原理的密度泛函理论对C-H-F 氛围下低温CVD 金刚石薄膜的生长过程进行仿真分析，计算H、F 原子在氢终止金刚石表面发生萃取反应的吸附能、反应热与反应能垒，并分析CF3、CF2、CF 3 种生长基团在带有活性（试读）...
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