摘要 针对碳化硅（SiC）基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题，提出了一种在干式状态下对SiC 基片进行摩擦化学机械抛光的方法（dry tribochemical mechanical polishing， DTCMP）。探究不同工艺参数（（试读）...